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Ordering number : EN7625A
2SJ652
P-Channel Power MOSFET
–60V, –28A, 38m Ω , TO-220F-3SG
Features
http://onsemi.com
?
?
?
ON-resistance RDS(on)1=28.5m Ω (typ.)
Input capacitance Ciss=4360pF (typ.)
4V drive
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--60
±20
--28
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25°C
--112
2.0
30
150
--55 to +150
343
--28
A
W
W
°C
°C
mJ
A
Note : * 1 VDD=--30V, L=500 μ H, IAV=--28A (Fig.1)
* 2 L ≤ 500 μ H, single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
Product & Package Information
unit : mm (typ)
7529-001
? Package
? JEITA, JEDEC
: TO-220F-3SG
: SC-67
10.16
4.7
2SJ652-1E
? Minimum Packing Quantity
: 50 pcs./magazine
3.18
2.54
Marking
Electrical Connection
2
A
1.47 MAX
2.76
J652
LOT No.
1
0.8
DETAIL-A
(0.84)
3
1
2
3
0.5
1 : Gate
EMC
FRAME
2 : Drain
3 : Source
2.54
2.54
TO-220F-3SG
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
51612QA TKIM TC-00002759/72503 TSIM TA-4245 No.7625-1/7
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